碳化硅反應器反應管路無金屬接觸，耐腐蝕性能，*的反應器設計，傳質(zhì)和傳熱效率，溫度范圍從-25℃到200℃，可視性強，易于清潔，可用于光反應。

　　反應器高效工藝開發(fā)和中試生產(chǎn)平臺，可以串聯(lián)多達5個反應模塊，多達10個可以獨立控制的LED陣列，反應器開發(fā)的工藝，可以在康寧G3光化學反應器上實現(xiàn)無縫放大。反應器芯片為無壓燒結碳化硅材質(zhì)，具有強的耐化學腐蝕性和導熱率，可處理包括KOH等強腐蝕性物質(zhì)，其高導熱率決定了其具有換熱效率，改善了反應過程的傳熱條件，加快了反應效率。反應器外部支架為不銹鋼材質(zhì)，帶有特制隔熱保溫層，可有利于節(jié)能降耗以及更精準的控溫。

　　碳化硅反應器產(chǎn)品特點

　　1、反應器芯片原材料為亞微米級高純碳化硅，純度99.5%以上，采用無壓燒結工藝經(jīng)2150度燒制，并經(jīng)精密加工而成；

　　2、單組反應器單元為多片式結構，采用高溫鍵合成一個整體，*消除了泄露風險，芯片自身帶有溫度探頭，可靈活監(jiān)控反應溫度；

　　3、反應器芯片采用“反應/換熱一體式”設計，一面是反應通道，一面是換熱通道，兩種功能集成在一塊碳化硅板上，提高了換熱效率；

　　4、換熱系統(tǒng)的冷熱媒可直接注入反應器芯片的換熱通道內(nèi)，通道采用流線型設計并安裝有擾流擴散器，既滿足了媒介的快速流動，不會產(chǎn)生明顯壓降，又可保證媒介與芯片本體充分接觸，有利于精準控溫；

　　5、反應器模塊單元帶有特制的保溫隔熱層，使用特殊保溫材料將碳化硅反應器芯片充分包裹，碳化硅芯片與外部金屬部分無接觸，保溫隔熱性能大大提高，有利于節(jié)能降耗，同時增加了設備使用中的安全性。